Samsung presenta sus nuevas memorias NAND flash de 128 GB para la gama media

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Módulos 3 bits NAND flash eMMC 5.0 de 128 GB de Samsung

La firma surcoreana Samsung es una de las mejores cuando hablamos de memoria, ya sea RAM o flash para el almacenamiento. Hace poco nos presentaba su nueva tecnología UFS 2.0 de memorias flash, que promete velocidades hasta 3 veces superiores a las que ofrece eMMC 5.0, además de un consumo que se reduce a la mitad. Esta novedad ya la podemos encontrar en los nuevos Samsung Galaxy S6 y Samsung Galaxy S6 Edge presentados en el Mobile World Congress de Barcelona.

Ahora, acaba de presentar otro avance en este campo, pero en esta ocasión destinado a smartphones y tablets de gama media. Se trata de un nuevo módulo de 128 GB eMMC 5.0 basado en la tecnología NAND de 3 bits, lo que según Samsung, lo sitúa prácticamente al mismo nivel de eMMC 5.1, el que será un nuevo estándar junto al citado UFS 2.0.

Así, esta memoria de 128 GB eMMC 5.0 será capaz de alcanzar velocidades de lectura de datos secuenciales de hasta 260 MB/s. Además, la cantidad de operaciones de entrada y salida por segundo en lectura y escritura de datos aleatorios se calcula 4 y 10 veces mayor, respectivamente, a la de las tarjetas microSD típicas. Esto se traducirá, por ejemplo, en un mejor comportamiento a la hora de reproducir vídeo en alta definición, y lidiar con las funciones multimedia más exigentes.

UFS 2.0 se reservará seguramente para equipos tope de gama, pero no por ello Samsung ha querido dejar de mejorar en un sector tan importante como es el de la gama media. Por este motivo, ha decidido no esperar hasta que eMMC 5.1 se instale de forma masiva en los dispositivos, y ha mejorado una tecnología que lleva entre nosotros casi 2 años, lo que seguro aportará un aumento del potencial a los equipos que la incorporen.

Samsung Tomorrow | 128-Gigabyte 3-bit NAND Flash Memory Storage

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