Ni diseño ni cámara: estas serán las dos claves del Samsung Galaxy S10

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Samsung Galaxy S10 Plus, diseño revelado por renders

Todas las miradas están puestas en Samsung, quien desvelará su Galaxy S10 el día 20 de febrero en su evento Unpacked 2019. La compañía se adelanta así al Mobile World Congress, y será la primera en presentar su tope de gama, salvo sorpresa por parte de algún otro fabricante. Si bien el nuevo diseño con agujero en pantalla y su nuevo sistema de cámara serán dos de los indiscutibles protagonistas que acompañen a este terminal, las dos claves diferenciales del mismo serán otras.

El Samsung Galaxy S10 podría ser un terminal único en su especie, introduciendo dos tecnologías nunca antes vistas en un teléfono, y que supondrían uno de los cambios más relevantes hasta la fecha en el mercado de la gama alta. Si se cumplen los rumores que llevamos escuchando desde hace unos meses, el Samsung Galaxy S10 contará con la tecnología de memorias más avanzada del mercado.

Las mejores memorias RAM y ROM del mercado

Las últimas informaciones apuntan a que el Samsung Galaxy S10 podría ser el primer terminal Android del mercado en incluir memoria RAM con tecnología LPDDR5. La compañía anunció esta tecnología el 17 de julio de 2018, desvelando algunas de sus claves.

Se trata de un módulo base de 8 GB LPDDR5, que según Samsung, representa el mayor paso hacia adelante en lo que a bajo consumo en memorias para móviles se refiere. Construido bajo un proceso de 10nm, el módulo LPDDR5 cuenta con una velocidad de datos de hasta 6,400 mbps, 1,5 veces más rápido que los actuales chips.

La memoria RAM LPDDR5 no será solo más rápida que la de anterior generación, su proceso de fabricación permite un importante ahorro energético, gracias al menor consumo en uso y a características como el “modo en reposo”, que llega ahorrar hasta un 30% de energía.

Estos nuevos módulos de memoria contarán con un modo de deep sleep, por el cual disminuirá su voltaje en base a la frecuencia del procesador, minimizando el consumo cuando nuestro smartphone esté en reposo. Mejor rendimiento y mayor eficiencia energética son las dos principales claves de la RAM DDR5, la cual empezaremos a ver en más terminales de gama alta, después de que Samsung de el pistoletazo de salida.

Samsung Galaxy S10, fecha de presentacion oficial

La segunda clave del Samsung Galaxy S10 sería la memoria de almacenamiento UFS 3.0, que vendría a sustituir a los actuales módulos 2.1 que incorpora la gama alta. La tecnología dobla en ancho de banda a su predecesor, permitiendo 11,6 Gbps por canal –1,45 GB/s–.

El consumo energético también ve una mejora relevante en la tecnología UFS 3.0, con un consumo de 2,5 voltios, una gran mejora respecto a los 3,5 que consumían las anteriores generaciones. La construcción de estos módulos supondría la estandarización del UFS 3.0 en los mejores gama alta, ya que gran parte de los flagships actuales incorpora módulos de memoria fabricados por Samsung.

Estas dos serían las auténticas claves del Samsung Galaxy S10, y es que serán dos de los saltos más importantes a nivel tecnológico desde los últimos 4 años en la industria móvil. Esperamos que los rumores se cumplan, y que el gigante surcoreano ponga toda la carne en el asador con su más reciente tope de gama.

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Archivado en Noticias Android, Samsung Galaxy S10
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