1TB eUFS 2.1: Samsung presenta la memoria interna más rápida en el mundo del smartphone

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1TB eUFS 2.1: Samsung presenta la memoria interna más rápida del mundo

Samsung, que se prepara para el lanzamiento del Galaxy S10, anunció recientemente que se convertía en una marca verde y su intención de comprar de la empresa responsable de la cámara-periscopio de OPPO. De cara al futuro, la firma surcoreana trabaja en el sensor de cámara de alta resolución más pequeño de su historia y acaba de anunciar la memoria interna más rápida del mundo.

La compañía ha comunicado su nuevo chip eUFS 2.1 de 1TB, lo que supone la memoria interna más rápida del mundo. Samsung ha confirmado que ya ha comenzado la producción en masa de dicho chip de memoria para su uso en aplicaciones móviles de próxima generación.

La memoria interna más rápida del mundo

Samsung memoria interna 1TB

El nuevo chip llega cuatro años después de que Samsung trajera un chip UFS de 128GB y tres años después de un chip de 256GB. Con la nueva memoria interna, los usuarios podrán disfrutar de una capacidad de almacenamiento comparable a un ordenador portátil sin tener que vincular sus teléfonos inteligentes con tarjetas de memoria adicionales, como afirman desde la propia compañía.

Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics, ha asegurado que se espera que el eUFS de 1TB “desempeñe un papel fundamental para brindar una experiencia de usuario más similar a un notebook a la próxima generación de dispositivos móviles”. Con el nuevo chip de memoria los usuarios podrán almacenar 260 videos de 10 minutos en formato 4K UHD.

10 veces la velocidad de una tarjeta microSD típica

Samsung chip 1TB eUFS 2.1

Samsung también confirma que el eUFS de 1TB posee una velocidad de lectura de hasta 1.000 megabytes por segundo, es decir, 10 veces la velocidad de una tarjeta microSD típica, lo que significa que podría mover 5GB de video HD en apenas cinco segundos. Además, las velocidades de escrituras aleatorias son 500 veces más rápidas que una tarjeta microSD de alto rendimiento.

En comparación con el rendimiento del eUFS 2.1 de 512GB de noviembre de 2017, el nuevo chip de la compañía alcanza una velocidad de lectura de 1.000 MB/s, mientras que la anterior versión llegaba hasta los 860 megabytes por segundo. En cuanto a la velocidad de escritura, también se aprecia una notable mejora, ya que el eUFS 2.1 de 1TB alcanza los 260 MB/s. Además, la velocidad de lectura aleatoria ha aumentado hasta en un 38 por ciento con respecto a la versión de 512 GB, alcanzando hasta 58.000 IOPS.

La compañía planea expandir la producción ante la fuerte demanda anticipada de eUFS de 1TB de fabricantes de dispositivos móviles de todo el mundo, incluso se rumorea que el esperado Galaxy S10 Plus podría contar con dicha memoria interna.

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