Samsung presenta el nuevo almacenamiento UFS 4.0 ultrarrápido que llevarían los Galaxy S23

El primer chip de almacenamiento UFS 4.0 podría debutar junto a los Samsung Galaxy S23 del año que viene.

Samsung presenta el nuevo almacenamiento UFS 4.0 ultrarrápido que llevarían los Galaxy S23

Aunque todavía nos separan unos cuantos meses de la llegada de la próxima generación de smartphones de gama alta, Samsung ha querido anticiparse anunciando una de las tecnologías que, muy probablemente, debutarán junto con los smartphones insignia del próximo año 2023: la tecnología de memoria UFS 4.0.

La compañía ha presentado hoy la que, aseguran, se trata de la solución de almacenamiento flash universal --UFS-- con mayor rendimiento hasta la fecha, con velocidades que pueden duplicar las obtenidas por la tecnología UFS 3.1 utilizada en la mayoría de smartphones de gama alta actuales.

Samsung presenta el nuevo almacenamiento UFS 4.0 ultrarrápido que llevarían los Galaxy S23

El nuevo chip de almacenamiento UFS 4.0 podría debutar junto a los Galaxy S23 del año que viene.

El almacenamiento UFS 4.0 promete velocidades de hasta 32,2 Gbps

La compañía asegura que esta nueva solución de almacenamiento es idónea para los smartphones equipados con conectividad 5G, que requieren de enormes cantidades de procesamiento de datos.

Y es que UFS 4.0 puede alcanzar un ancho de banda de hasta 23,2 Gbps por cada "canal", el doble que UFS 3.1.Por esa razón, Samsung sugiere que la tecnología también será adoptada en futuras aplicaciones de automoción, realidad aumentada y realidad virtual.

"Con el avanzado V-NAND de séptima generación de Samsung y un controlador patentado bajo el capó, UFS 4.0 ofrecerá una velocidad de lectura secuencial de hasta 4200 MB/s y una velocidad de escritura secuencial de hasta 2800 MB/s."

Además de las mejoras en cuanto a rendimiento y ancho de banda, UFS 4.0 también incorpora avances en lo relativo al consumo energético, gracias a una mayor eficiencia. Según Samsung, los dispositivos equipados con este tipo de chips serán capaces de alcanzar velocidades de lectura de hasta 6 MB/s por mili Amperio, lo cual supone una mejora del 46% con respecto a la generación anterior.

A todo eso, hay que sumarle un formato muy compacto, con unas dimensiones máximas de 11 x 13 x 11 milímetros. En cuanto a su capacidad, existirán diversas variantes hasta alcanzar 1 TB.

Samsung prevé comenzar la producción en masa de los chips de memoria UFS 4.0 durante el tercer trimestre de este año. Por tanto, si bien es poco probable que la próxima generación de smartphones plegables de la marca incorpora esta tecnología, sí resulta plausible que los Samsung Galaxy S23 del próximo año vayan a ser los primeros en debutar con ella en su interior.

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